onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 16 A 129 W, 8-Pin TDFN

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RS Best.-Nr.:
229-6482
Herst. Teile-Nr.:
NTMT190N65S3H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SUPERFET III

Gehäusegröße

TDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

129W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.1mm

Breite

1.1 mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Niedrige effektive Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Bleifrei

RoHS-konform

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