onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 16 A 32 W, 3-Pin NTPF190N65S3H TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.10.228

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 980 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.5.114CHF.10.23
20 - 198CHF.4.41CHF.8.82
200 +CHF.3.822CHF.7.64

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6497
Herst. Teile-Nr.:
NTPF190N65S3H
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SUPERFET III

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.63mm

Breite

4.9 mm

Höhe

29.95mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Niedrige effektive Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Bleifrei

RoHS-konform

Verwandte Links