onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 19 A 33 W, 3-Pin NTPF165N65S3H TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.8.82

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.4.41CHF.8.82
20 - 198CHF.3.801CHF.7.60
200 +CHF.3.297CHF.6.59

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6495
Herst. Teile-Nr.:
NTPF165N65S3H
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

SUPERFET III

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.63mm

Höhe

29.95mm

Breite

4.9 mm

Automobilstandard

Nein

Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Niedrige effektive Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Bleifrei

RoHS-konform

Verwandte Links