onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 229-6452
Herst. Teile-Nr.:: NTD360N65S3H
Marke:: onsemi

onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin TO-252

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SUPERFET III
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	360mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	6.22mm
	Länge	6.73mm
	Breite	2.39 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SUPERFET III
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 6.22mm
	Länge 6.73mm
	Breite 2.39 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NTD360N65S3H

Leistungs-MOSFET, N-Kanal, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die die Charge-Balance-Technologie für einen außergewöhnlich niedrigen On-Widerstand und eine geringere Gate-Ladung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf zugeschnitten, Leitungsverluste zu minimieren, eine hervorragende Schaltleistung zu bieten und extremen dv/dt-Raten standzuhalten. Folglich trägt die SUPERFET III FAST MOSFET-Serie dazu bei, verschiedene Leistungssysteme zu minimieren und die Systemeffizienz zu verbessern.

Eigenschaften

• 700 V @ TJ = 150 °C

• Extrem niedrige Gate-Ladung (Typ. Qg = 17,5 nC)

• Niedrige effektive Ausgangskapazität (Typ. Coss(eff.) = 180 pF)

• Schnelle Schaltleistung mit robuster Body-Diode

• 100 % Avalanche-getestet

• RoHS-konform

• Typ. RDS(on) = 296 m

• Interner Gate-Widerstand: 0,9

onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin TO-252

Leistungs-MOSFET, N-Kanal, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK

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