onsemi SUPERFET III N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 24 A 171 W, 8-Pin TDFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6479
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMT125N65S3H
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 229-6479
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMT125N65S3H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Gehäusegröße | TDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 171W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Gehäusegröße TDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 171W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Niedrige effektive Ausgangskapazität
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Bleifrei
RoHS-konform
Verwandte Links
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 24 A 171 W, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 16 A 129 W, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 30 A 208 W, 8-Pin TDFN
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 10 A 26 W, 3-Pin TO-220
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 13 A 106 W, 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 10 A 83 W, 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 13 A 29 W, 3-Pin TO-220