onsemi FCH067N65S3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 172-3423
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH067N65S3-F155
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 450 + | CHF 4.202 | CHF 1'890.27 |
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- RS Best.-Nr.:
- 172-3423
- Herst. Teile-Nr.:
- FCH067N65S3-F155
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | FCH067N65S3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie FCH067N65S3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Höhe 20.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.
700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 62 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerTelekommunikationIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVC
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