Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 125 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 178-7486
Herst. Teile-Nr.:: BSC600N25NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 125 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*

CHF 7'120.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 04. Oktober 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	CHF 1.424	CHF 7'135.65

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 178-7486
Herst. Teile-Nr.:: BSC600N25NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Länge	6.1mm
	Breite	5.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Länge 6.1mm
	Breite 5.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

BSC600N25NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon OptiMOS 3 Serie MOSFET, 250 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC600N25NS3GATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten thermischen Bereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Handhabung von Drain-to-Source-Spannungen und moderaten Dauerstrom erfordern. Das Gerät wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für eine kompakte Integration auf Board-Ebene geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassspannung von 250 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 25 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 60 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine reaktionsschnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler auf Stromplatinen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die eine 25-A-Betätigung erfordern
• Kann für Schaltnetzteile mit engen Abmessungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltkreise, die extremen Temperaturen ausgesetzt sind

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden und die Zuverlässigkeit des Geräts zu gewährleisten.

Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Wahl der Schaltungstopologie aus?

Als N-Kanal-Verbesserungsgerät wird er in der Regel auf der Unterseite von Schaltern platziert oder in synchrone Topologien eingesetzt, um die Effizienz zu verbessern.

Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?

Die Komponente funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit weiten Temperaturen und unterschiedlichen Umgebungsbedingungen.

Welche Überlegungen zur Montage des Gehäuses werden empfohlen?

Das TDSON-Format für die Oberflächenmontage erfordert geeignete Wärmeleitpads und Lötprofile, um die Wärmeableitung und die mechanische Stabilität zu bewältigen.