Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 125 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4303
Herst. Teile-Nr.:: BSC600N25NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 25 A 125 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC600N25NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	60mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.35mm
	Höhe	1.1mm
	Länge	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.35mm
	Höhe 1.1mm
	Länge 6.1mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon OptiMOS 3 Serie MOSFET, 250 V Drain-Source-Spannung, 25 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC600N25NS3GATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten thermischen Bereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Handhabung von Drain-to-Source-Spannungen und moderaten Dauerstrom erfordern. Das Gerät wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für eine kompakte Integration auf Board-Ebene geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassspannung von 250 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 25 A Dauerstrom unterstützt eine erhebliche Lastübernahme
• 60 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine reaktionsschnelle Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler auf Stromplatinen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die eine 25-A-Betätigung erfordern
• Kann für Schaltnetzteile mit engen Abmessungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schaltkreise, die extremen Temperaturen ausgesetzt sind

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden und die Zuverlässigkeit des Geräts zu gewährleisten.

Wie wirkt sich der Kanaltyp auf die Wahl der Schaltungstopologie aus?

Als N-Kanal-Verbesserungsgerät wird er in der Regel auf der Unterseite von Schaltern platziert oder in synchrone Topologien eingesetzt, um die Effizienz zu verbessern.

Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?

Die Komponente funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit weiten Temperaturen und unterschiedlichen Umgebungsbedingungen.

Welche Überlegungen zur Montage des Gehäuses werden empfohlen?

Das TDSON-Format für die Oberflächenmontage erfordert geeignete Wärmeleitpads und Lötprofile, um die Wärmeableitung und die mechanische Stabilität zu bewältigen.