Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4309
Herst. Teile-Nr.:: BSC030P03NS3GAUMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC030P03NS3GAUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	OptiMOS P
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.6mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	140nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-25V, +25V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	5.35mm
	Länge	6.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie OptiMOS P
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -1.1V
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 140nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -25V, +25V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 5.35mm
	Länge 6.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC030P03NS3GAUMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Strombelastbarkeit und einen hohen Temperaturbereich erfordern. Er arbeitet als P-Kanal-Verbesserungsgerät für die Steuerung von Stromschienen und Schaltstufen in anspruchsvollen Umgebungen und bietet ein Gleichgewicht zwischen Schaltleistung und Dauerstromkapazität über einen breiten Temperaturbereich.

Merkmale und Vorteile:

• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen Schaltvorgänge mit hoher Belastung
• Maximale Verlustleistung von 125 W unterstützt schwere thermische Lasten
• Niedrige Rds(on) von 4.6 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Vds von 30 V ermöglichen die Steuerung von Stromschienen mit mittlerer Spannung
• 140 nC typische Gate-Ladung gleicht Antriebsbelastung und Schaltgeschwindigkeit aus
• 25-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Stromverteilermodule
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Versorgungsanlagen
• Wird mit Batteriemanagementsystemen und Stromumwandlungssystemen verwendet
• Kann für die Low-Side-Schaltung von Motorantrieben verwendet werden
• Wird für thermisch belastete Elektronik über breite Temperaturen hinweg verwendet

Welche Gehäusetypen sollte ich auf der Leiterplatte planen?

Es wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine Grundfläche erfordert, die einem 8-poligen Wärmeleitpad und den umgebenden Erdungen für Lötbarkeit und Wärmeübertragung entspricht.

Wie wirkt sich die Umgebungstemperatur auf den zulässigen Betrieb aus?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und behält seine Funktionalität auch bei extremer Kälte und erhöhten Anschlussbedingungen bei, obwohl das thermische Management dynamische Stromgrenzen festlegt.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für die Schaltleistung wichtig?

Erwarten Sie eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 140 nC, die die Treibergröße anzeigt

müssen die Treiber ausreichend Strom liefern, um innerhalb der gewünschten Übergangszeiten zu schalten, wobei die maximale Gate-Source-Nennspannung von 25 V zu beachten ist.

Welche Durchlassspannungscharakteristik wirkt sich auf die Verpolung aus?

Das Gerät weist eine Durchlassspannung von -1,1 V während der Leitung in der entsprechenden Richtung auf, was die Leitungsverluste bei Freilauf oder in synchronen Konfigurationen beeinflusst.