Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 125 W, 8-Pin BSC047N08NS3GATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4347
Herst. Teile-Nr.:: BSC047N08NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 125 W, 8-Pin BSC047N08NS3GATMA1 TDSON

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RS Best.-Nr.:: 906-4347
Herst. Teile-Nr.:: BSC047N08NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	52nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Breite	5.35 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Breite 5.35 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.1mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Ausgenommen

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