Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 66 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 911-0780
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC123N08NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*
CHF 2'675.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF 0.535 | CHF 2'696.70 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 911-0780
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC123N08NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 66W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 66W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V
MOSFET-Transistoren, Infineon
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