Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 23 A 32 W, 8-Pin BSC340N08NS3GATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 754-5320
Herst. Teile-Nr.:: BSC340N08NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 23 A 32 W, 8-Pin BSC340N08NS3GATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.4.78

Auf Lager

2’935 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.0.956	CHF.4.76
50 - 120	CHF.0.84	CHF.4.19
125 - 245	CHF.0.777	CHF.3.89
250 - 495	CHF.0.735	CHF.3.67
500 +	CHF.0.672	CHF.3.38

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 754-5320
Herst. Teile-Nr.:: BSC340N08NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	23A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	66mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.8nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	32W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.1 mm
	Höhe	1.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 66mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 32W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.1 mm
	Höhe 1.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.35mm
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal, Logikebene

Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Pb-frei Beschichtung

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 23 A 32 W, 8-Pin BSC340N08NS3GATMA1 TDSON

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V

MOSFET-Transistoren, Infineon

Verwandte Links