Vishay SI8802DB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.5 A 0.6 W, 4-Pin MICRO FOOT

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RS Best.-Nr.:
180-7328
Herst. Teile-Nr.:
SI8802DB-T2-E1
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

8V

Gehäusegröße

MICRO FOOT

Serie

SI8802DB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

54mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.6W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.8mm

Länge

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

MOSFET der Serie SI8802DB von Vishay, 3,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 8 V maximale Drain-Source-Spannung - SI8802DB-T2-E1


Es handelt sich um einen kompakten N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET, der für das Schalten von Niederspannungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Es arbeitet in einer Umgebung mit eingeschränkter Spannung und eignet sich für thermische Bedingungen, die in der Industrieelektronik auftreten. Das Gerät wird in einem kleinen Mikrofußgehäuse mit vier Stiften für eine einfache Board-Integration angeboten.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Ablassspannung von 8 V ermöglicht Schaltanwendungen mit niedriger Spannung • 3,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 54 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste während des Betriebs • Die typische Gate-Ladung von 4,3 nC ermöglicht effizientes Schalten mit logischen Geschwindigkeiten • 0,6 W Verlustleistung bewältigt geringe thermische Lasten auf der Leiterplatte • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C hält einem breiten Temperaturbereich stand

Anwendungen


• Geeignet für Gate-Antriebsstufen in industriellen Automatisierungssteuerungen • Ideal für das Schalten von Niederspannungs-Motortreibern in kompakten Baugruppen • Wird mit Stromverwaltungsschaltkreisen in Schalttafeln verwendet • Kann zum Schalten der Last in Sensorschnittstellenmodulen verwendet werden

Welche Gate-Antriebsbeschränkungen sollte ich für die Schaltleistung berücksichtigen?


Das Gate darf ±5 V bezogen auf die Quelle nicht überschreiten und die typische Ladung beträgt 4,3 nC. Daher müssen Gate-Treiber so konstruiert werden, dass sie genügend Strom für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit liefern, ohne die Spannungsgrenze zu überschreiten.

Wie sollte das Wärmemanagement auf der Leiterplatte behandelt werden?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 0,6 W sorgen Sie für eine ausreichende Kupferfläche oder Wärmeleitungen unter dem Gehäuse und vermeiden Sie es, Komponenten mit hoher Verlustleistung in der Nähe zu gruppieren, um die Verbindungstemperaturen innerhalb sicherer Grenzen zu halten.

Welche Befestigungsaspekte gelten für eine zuverlässige Montage?


Das Gerät ist eine oberflächenmontierte Komponente in einem Mikrofußgehäuse mit vier Stiften. Verwenden Sie daher ein geeignetes Lötpastenvolumen und ein Reflow-Profil für kleine SMDs, um konsistente Lötverbindungen zu gewährleisten.

Gibt es Einschränkungen für den Einsatz in Automobilsystemen?


Das Gerät ist nicht als Automobilgerät eingestuft, daher sollte es nicht verwendet werden, wo automobilspezifische Zulassungen erforderlich sind.

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