Vishay SI8802DB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.5 A 0.6 W, 4-Pin MICRO FOOT

RS Best.-Nr.:: 180-7328
Herst. Teile-Nr.:: SI8802DB-T2-E1
Marke:: Vishay

Vishay SI8802DB N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 8 V / 3.5 A 0.6 W, 4-Pin MICRO FOOT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SI8802DB-T2-E1
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	8V
	Gehäusegröße	MICRO FOOT
	Serie	SI8802DB
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	54mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.3nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	0.6W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	5V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	0.8mm
	Länge	0.8mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 8V
	Gehäusegröße MICRO FOOT
	Serie SI8802DB
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 54mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 0.6W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 5V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 0.8mm
	Länge 0.8mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet

MOSFET der Serie SI8802DB von Vishay, 3,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 8 V maximale Drain-Source-Spannung - SI8802DB-T2-E1

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist für Niederspannungs-Schalt- und Leistungsmanagementaufgaben in kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen konzipiert. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Designs, die eine geringe Grundfläche und eine moderate Gleichstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen und wird in einem sehr kompakten Mikrogehäuse für Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Der Einschaltwiderstand von 54 mΩ reduziert Leitungsverluste und die Wärmeentwicklung
• Die Nennleistung von 8 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungsstufen
• 3,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Die typische Gate-Ladung von 4,3 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Die maximale Verlustleistung von 0,6 W begrenzt die thermische Belastung unter Last
• Der Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet eine breite thermische Toleranz

Anwendungen

• Geeignet für batteriebetriebene Niederspannungs-Gleichstromversorgungsschaltung
• Ideal für kompakte Stromverwaltungsmodule auf kleinen Leiterplatten
• Wird mit Motor-Treiber-Stufen verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann zum Schalten tragbarer Geräte mit Stromschienen verwendet werden
• Wird zum Schalten der Last in dichten oberflächenmontierten Baugruppen verwendet

Welche Pinanzahl und Montageart werden verwendet?

Es wird als Vier-Pin-Gerät in einem Micro-Footprint-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Inwiefern beeinträchtigt die thermische Leistung die Leiterplattenkonstruktion?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 0,6 W und einem kleinen Gehäuse wird eine ausreichende Kupferfläche oder Wärmeleitfedern empfohlen, um die Wärme zu verteilen und einen lokalen Temperaturanstieg zu verhindern.

Welche Überlegungen zur Verriegelung werden für eine schnelle Schaltung empfohlen?

Die typische Gate-Ladung von 4,3 nC bei der spezifizierten Gate-Spannung erfordert Treiberstufen, die genügend Strom liefern und ableiten können, um die gewünschten Randraten zu erreichen.

Welche Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?

Das Gerät darf eine Drain-Source-Differenz von 8 V und eine Gate-Source-Amplitude von 5 V nicht überschreiten, um innerhalb der vorgegebenen elektrischen Grenzen zu bleiben.