Vishay SI8818EDB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 2.2 A 0.9 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-091
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8818EDB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.0.221
Auf Lager
- Zusätzlich 5’980 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.0.22 |
| 25 - 99 | CHF.0.19 |
| 100 - 499 | CHF.0.18 |
| 500 - 999 | CHF.0.15 |
| 1000 + | CHF.0.14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 653-091
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8818EDB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | SI8818EDB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.143Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.9W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.8 mm | |
| Länge | 0.8mm | |
| Höhe | 0.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie SI8818EDB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.143Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.9W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.8 mm | ||
Länge 0.8mm | ||
Höhe 0.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ultrakompakte, hocheffiziente Schaltungen in Systemen mit begrenztem Platzangebot entwickelt. Er unterstützt eine Ablass-Quellenspannung von bis zu 30 V. Verpackt in MICRO FOOT 0,8 mm x 0,8 mm, nutzt es die TrenchFET-Technologie, um niedrige RDS(on), schnelles Schalten und ausgezeichnete thermische Leistung zu bieten.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
Verwandte Links
- Vishay SI8818EDB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 2.2 A 0.9 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 2.1 A 0.9 W, 4-Pin MICRO FOOT
- Vishay SQJ141ELP Typ P-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V / -232 A 500 W, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SQS178EL Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 72 V / 54 A 65 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SUM50010EL Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 150 A 375 W, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SQ2310CES Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 6 A 2 W, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SQJ190 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 19.6 A 45 W, 4-Pin PowerPAK
