Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-078
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR100N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 653-078
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR100N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.108Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 347W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.42mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.108Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 347W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.42mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 38 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHR100N60EF-T1GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalter, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle industrielle Umgebungen geeignet ist, und ist für den Einsatz vorgesehen, wo eine robuste Handhabung der Drain-Source-Spannung und eine erhöhte Verlustleistung erforderlich sind. Die Komponente wird in einem flachen PowerPAK-Gehäuse geliefert, um kompakte Leiterplattenlayouts und effektives Wärmemanagement zu unterstützen.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Vds von 600 V bietet Hochspannungsschaltfähigkeit • 38 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine erhebliche Lasthandhabung • 0,108 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste bei Nennstrom • Maximale Pd von 347 W unterstützt Anforderungen an hohe Verlustleistung • Typische Gate-Ladung von 35 nC unterstützt effiziente Schaltleistung
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile • Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen • Wird für Leistungsfaktorkorrekturstromkreise in Wechselstromsystemen verwendet • Kann für DC/DC-Wandler in Automatisierungsgeräten verwendet werden • Geeignet für Hochspannungsschaltung in Stromverteilungseinheiten
Welche Grenzwerte sollte ich für die Gate-Drive-Spannung beachten?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um dielektrische Gate-Beschwerden zu vermeiden.
Wie bezieht sich die thermische Beständigkeit auf Betriebsgrenzen?
Das Gerät ist für den Betrieb bei einer Sperrschichttemperatur von bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht einen kontinuierlichen Betrieb unter erhöhten thermischen Bedingungen mit geeigneter Leiterplatten-Wärmeableitung.
Wie groß ist der zulässige Umgebungstemperaturbereich für den Einsatz?
Es unterstützt den Betrieb bis zu -55 °C und eignet sich daher für industrielle Umgebungen mit niedrigen Temperaturen.
Wie viele Pins bietet das Gehäuse für den Anschluss an die Leiterplatte?
Die Komponente verwendet eine 8-polige Konfiguration im PowerPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage.
Ist dies für die Qualifizierung im Automobilbereich vorgesehen?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Zulassungen für Automobilanwendungen entspricht.
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