Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 114 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:
200-6812
Herst. Teile-Nr.:
SIHH186N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EF

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

193mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

8.1mm

Breite

1.05 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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