Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 268-8302
Herst. Teile-Nr.:: SIHH250N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 268-8302
Herst. Teile-Nr.:: SIHH250N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	13A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Serie	SIHH
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.25Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	23nC
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	8mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Serie SIHH
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.25Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 8mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHH250N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: TW

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH250N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen, bei denen eine kompakte Oberflächenmontage erforderlich ist. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus und ist für hohe Spannungen und Ströme in anspruchsvollen thermischen Umgebungen ausgelegt, während er den RoHS-Beschränkungen entspricht.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 13 A Dauerstrom unterstützt einen erheblichen Lastantrieb
• 0.25 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 89 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 23 nC ermöglicht Gate-Übergänge mit moderater Geschwindigkeit
• Vgs max. 30 V gewährleistet eine robuste Gate-Drive-Marge

Anwendungen

• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Verwendung mit isolierten Gate-Treibern in Leistungswandlern
• Kann für Resonanz- und Soft-Switching-Topologien verwendet werden
• Geeignet für industrielle Power-Management-Module

Welche extremen Temperaturen kann er im Betrieb tolerieren?

Es ist spezifiziert für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C für den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für kompakte Baugruppen vorgesehen?

Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um Leiterplattenfläche zu sparen und die Wärmeleitung zu verbessern.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung des Geräts auf die Leitung zwischen Gehäuse und Diode aus?

Die Durchlassspannung von 1,2 V zeigt den typischen Spannungsabfall über die Eigenspannungsdiode während der Umkehrleitung an, was die Verlustberechnungen in synchrone Gleichrichtung oder Freilaufbahnen beeinflusst.

Welche Pin-Konfiguration ist für die Schaltungsintegration verfügbar?

Die Komponente verfügt über vier freiliegende Stifte, was separate Verbindungen für Quellen-, Drain-, Gate- und Tab-Anordnungen oder Thermopads während des Leiterplatten-Layouts ermöglicht.