Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 268-8300
Herst. Teile-Nr.:: SIHH085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich

Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.

RS Best.-Nr.:: 268-8300
Herst. Teile-Nr.:: SIHH085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SIHH
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.085Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	184W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SIHH
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 184W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: TW

MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH085N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Systeme, die eine robuste Ablass-Quellenspannungstoleranz und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät erfüllt die RoHS-Anforderungen und wird in einem kompakten PowerPAK 8x8-Gehäuse für die flache Leiterplattenmontage geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Drain-Source-Nennleistung für Schaltvorgänge mit erhöhter Spannung
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 0.085 Ω Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 184 W für eine hohe thermische Spanne
• Gate-Toleranz von ±30 V zur Anpassung an unterschiedliche Gate-Drive-Pegel
• Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wechselrichter
• Ideal für Front-End-Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die eine hohe Leistungsaufnahme erfordern
• Kann für industrielle Schaltnetzteile verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Server-Leistungsumwandlungsmodule

Welche thermische Umgebung kann er während des Betriebs vertragen?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter anspruchsvollen thermischen Bedingungen, wenn es mit einem geeigneten Wärmemanagement kombiniert wird.

Wie unterstützt das Paket die Implementierung auf Board-Ebene?

Das PowerPAK 8x8-Format für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche mit einer Vier-Pin-Anordnung, die für die automatisierte Montage und eine effiziente thermische Leiterplattenverlegung geeignet ist.

Was ist der Kanalmodus und welche Auswirkungen hat er auf das Schaltungsdesign?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das zum Einschalten einen positiven Gate-to-Source-Antrieb benötigt, wodurch einfache High-Side- oder Low-Side-Schalttopologien mit geeigneten Gate-Treibern möglich sind.

Gibt es Umwelt- oder regulatorische Materialüberlegungen?

Die Komponente entspricht den RoHS-Materialbeschränkungen, was bedeutet, dass sie frei von bestimmten eingeschränkten Substanzen für konformitätsorientierte Designs ist.