Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 268-8306
Herst. Teile-Nr.:: SIHK085N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 268-8306
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Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SIHK
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.085Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	184W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	9.9mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SIHK
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 184W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 9.9mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHK085N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK085N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine hohe Spannungs- und Wärmebeständigkeit erforderlich ist. Es handelt sich um ein auf der Leiterplatte montiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Mittelstrom-Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen optimiert ist. Die Komponente entspricht den RoHS-Richtlinien und ist für Ingenieure gedacht, die robuste diskrete Leistungstransistoren für industrielle und Leistungselektronik-Designs spezifizieren.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Ablassspannung von 650 V sorgt für einen breiten Hochspannungs-Headroom
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,085 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Maximale Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltantriebsanforderungen
• Gate-Source-Grenzwert von ±30 V schützt den Gate-Drive-Marge bei Transienten

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Wird für Phasenbeinschalter in Motorantrieb-Wechselrichterstufen verwendet
• Ideal für Primärseitige Schalter in SMPS-Topologien
• Kann zum Schalten der Last in Batteriemanagementsystemen verwendet werden
• Wird mit diskreten Leistungsstufen verwendet, die eine kompakte Gehäusedichte erfordern

Welche extremen Temperaturen kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist spezifiziert für den Betrieb in einem breiten Bereich von -55 °C bis 150 °C und deckt Niedertemperaturanlässe und erhöhte Anschlussbedingungen ab.

Welche Gehäusetypen sollte ich für die Leiterplattenmontage und das Wärmemanagement erwarten?

Er wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse geliefert, das für die Leiterplattenmontage optimiert ist, um die Wärmeverteilung und Layouts mit niedriger Induktivität zu unterstützen.

Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus dem Gate-Ladewert?

Die typische Gate-Ladung von 63 nC erfordert einen Treiber, der ausreichend Strom liefern und ableiten kann, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig die Schaltverluste zu bewältigen.

Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf die Wahl des Schaltungsdesigns aus?

Da es sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät handelt, erfordert es eine geeignete Gate-Drive-Polarität und wird typischerweise auf der Low-Side- oder als High-Side-Schalter mit Pegelverschiebung verwendet.