Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8311
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 24 A Drain-Strom – SIHK105N60E-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für die Leiterplattenmontage in Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Ablassquellenspannung und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern. Die Komponente wird in einem kompakten PowerPAK-Gehäuse geliefert, das für dichte Leiterplatten-Layouts geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 650 V ermöglicht Hochspannungs-Schaltanwendungen • 24 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,1 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz • Die Verlustleistung von 132 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme in thermischen Designs • 53 nC typische Gate-Ladung bei Vgs begrenzt die Schaltenergie für schnellere Übergänge • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht erhöhte thermische Betriebsummantelungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Wechselrichterstufen • Wird für Schaltnetzteile auf der Primärseite verwendet • Kann für Photovoltaik-Wechselrichter-Leistungsstufen verwendet werden • Geeignet für Leistungsfaktor-Korrektur-Schaltkreise
Wie hoch ist die zulässige Gate-Antriebsspannung für einen sicheren Betrieb?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Gate-Oxids zu verhindern und ein zuverlässiges Schalten zu gewährleisten.
Wie verhält sich das Gerät bei niedrigen Temperaturen bei Kaltstart?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und behält die Leitungseigenschaften im Enhancement-Modus bei Temperaturen unter Null.
Welche Gehäuse- und Pin-Konfiguration hilft bei der Leiterplattenmontage?
Die Komponente wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse mit acht Stiften geliefert, was das automatisierte Löten und den thermischen Kontakt auf Leiterplatten-Layouts erleichtert.
Wie wirkt sich die typische Gate-Ladung auf das Schaltdesign aus?
Eine Gate-Ladung von 53 nC am Nenn-Gate-Antrieb beeinflusst die Gate-Treibergröße und die Schaltverluste, wodurch die Auswahl der Treiberstromfähigkeit informiert wird.
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