Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 268-8311
Herst. Teile-Nr.:: SIHK105N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:: 268-8311
Herst. Teile-Nr.:: SIHK105N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	53nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	132W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	9.9mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 132W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 9.9mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHK105N60E-T1-GE3

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 24 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK105N60E-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung auf Leiterplatten entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für industrielle Umgebungen und eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Leistungsaufnahme und eine hohe Drain-Source-Spannungsfestigkeit erfordern. Das Gerät ist in einem flachen PowerPAK-Gehäuse montiert, um das Wärmemanagement auf Leiterplattenbaugruppen zu erleichtern.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 0.1 Ω reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 132 W verbessert den Wärmebereich
• Die typische Gate-Ladung von 53 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• Gate-Grenzwert Vgs 30 V ermöglicht robuste Gate-Treiberbereiche

Anwendungen

• Geeignet für industrielle Hochspannungsnetzteile
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsumwandlungsstufen
• Wird mit Motorantrieb-Wechselrichtern verwendet, die eine hohe Spannung erfordern
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Versorgungselektronik und Schnittstellen für erneuerbare Energien

In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

Welche Verpackungs- und Montageaspekte gelten für die thermische Leistung?

Er wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse geliefert, das für die Leiterplattenmontage vorgesehen ist und in Verbindung mit geeigneten Kupferwaagen und Wärmeleitern die Wärmeableitung unterstützt.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?

Mit einer typischen Gesamt-Gate-Ladung von 53 nC müssen die Treiber genügend Strom für die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten liefern und gleichzeitig die Gate-Drive-Verluste bewältigen.

Was ist die maximal zulässige Gate-Source-Spannung?

Die maximale Vgs beträgt 30 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise so konzipiert sein sollten, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.