Vishay SIHK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 279-9919
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
CHF.5’292.00
Auf Lager
- Zusätzlich 2’000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF.2.646 | CHF.5’294.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 279-9919
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
VISHAYs MOSFET ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Kennzahl (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität
Avalanche-Energie-Nennwert
Geringere Schalt- und Leitungsverluste
Verwandte Links
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 8-Pin SIHK155N60E-T1-GE3 PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin SIHH150N60E-T1-GE3 PowerPAK 8 x 8
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin SIHK105N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 156 W, 8-Pin SIHK155N60EF-T1GE3 PowerPAK 10 x 12
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 12 A 19 W, 6-Pin SIA445EDJ-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 6.6 A 19 W, 6-Pin SIA108DJ-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 202 W, 4-Pin SIHH26N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin SIHR100N60E-T1-GE3 PowerPAK