Vishay SIHK N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 279-9919
Herst. Teile-Nr.:: SIHK155N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHK N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

CHF 5'090.00

Auf Lager

Zusätzlich 2'000 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 +	CHF 2.545	CHF 5'092.42

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 279-9919
Herst. Teile-Nr.:: SIHK155N60E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	SIHK
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.158Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	9.9mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie SIHK
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 9.9mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHK155N60E-T1-GE3

MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK155N60E-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für SMD-Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und eignet sich für elektronische Systeme, die einen hohen Ableitstrom und eine hohe Leistungsaufnahme über einen breiten Temperaturbereich erfordern. Das Gerät ist für die Montage in einem kompakten PowerPAK 10x12-Gehäuse vorgesehen und entspricht den RoHS-Anforderungen.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht den Einsatz in Hochspannungsstufen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme
• 156 W maximale Verlustleistung für hohe Schaltanforderungen
• Niedrige Rds(on) von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Ansteuerung mit 30 V ermöglicht eine Standard-Gate-Steuerung auf Logikniveau

Anwendungen

• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in Netzteilen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Wechselrichterstufen
• Verwendet für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsmodule
• Kann für Quasi-Relais und Halbleiterschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und industrielle Stromverteilungsanlagen

Welchem thermischen Bereich kann er in anspruchsvollen Installationen standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in rauen Industrieumgebungen.

Welche Befestigungsaspekte sind für das Wärmemanagement relevant?

Das oberflächenmontierte PowerPAK 10x12-Format ermöglicht enge Kühlkörper und Leiterplatten-Layouts mit geringem Wärmewiderstand, wenn es mit geeigneten Kupferguss- und Vias-Layouts gepaart wird.

Wie viele Stifte sind vorhanden, und wie wirkt sich das auf das Leiterplatten-Layout aus?

Das Gerät verwendet eine 8-polige Konfiguration, die dedizierte Drain-, Source- und Gate-Anschlüsse für kompakte Hochstromroutings ermöglicht.

Was ist die typische Durchlassspannung und wo ist sie relevant?

Die Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was für Body-Diode-Leitungs-Szenarien und die Rückholleistung bei Schalttransienten relevant ist.