Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 156 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 279-9914
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH150N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.158Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.158Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 19 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH150N60E-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für die Leistungsschaltung in SMD-Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und unterstützt einen hohen Dauerstrom, wodurch er sich für anspruchsvolle elektronische Systeme eignet, die eine robuste Spannungsbeständigkeit und thermische Beständigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• 36 nC Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltleistung
• Gate-Grenzwert Vgs 30 V bietet Gate-Überspannungsschutz
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,158 Ω reduziert Leitungsverluste
• Die Verlustleistung von 156 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• 36 nC Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltleistung
• Gate-Grenzwert Vgs 30 V bietet Gate-Überspannungsschutz
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für robuste Stromschaltvorgänge in Telekommunikationssystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Einsatz mit Motorantrieben, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für robuste Stromschaltvorgänge in Telekommunikationssystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
Welchen thermischen Bedingungen kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit extremen Temperaturbereichen.
Welche Befestigungsart ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?
Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für das direkte Löten von Leiterplatten vorgesehen ist.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet die Komponente?
Das Gerät verfügt über eine vierpolige Konfiguration zur Verbindung mit Gate-, Drain- und Source-Layout-Anforderungen.
Welchen Kanal-Leitungsmodus nutzt er zum Schalten?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus, das leitet, wenn eine positive Gate-Source-Spannung angelegt wird.
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