Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 142 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 268-8309
Herst. Teile-Nr.:: SIHK105N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 142 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:: 268-8309
Herst. Teile-Nr.:: SIHK105N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	SIHK
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.105Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	51nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	142W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	9.9mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie SIHK
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 142W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 9.9mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHK105N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 24 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK105N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen PCB-montierten Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen hohen Ablassstrom und eine hohe Sperrspannung erfordern, während er gleichzeitig den RoHS-Umweltstandards entspricht.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung
• 0.105 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 142 W ermöglicht eine hohe Verarbeitungsleistung
• Die typische Gate-Ladung von 51 nC minimiert Schaltenergieverluste
• Die Gate-Bewertung von 30 V ermöglicht eine breite Gate-Drive-Flexibilität

Anwendungen

• Geeignet für industrielle Stromwandler und Wechselrichter
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden
• Verwendung mit Schaltnetzteilen für energieeffizientes Schalten
• Kann für Halbleiterrelais und Schutzschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations-Stromverteilungsmodule

Welches Gehäuseformat verwendet dieses Gerät für die Leiterplattenmontage?

Er wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf der Leiterplatte vorgesehen ist und eine kompakte Grundfläche und thermische Entlastung für Hochleistungslayouts bietet.

Wie bewältigt das Gerät extreme Umgebungstemperaturen?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und deckt einen breiten Bereich von industriellen thermischen Bedingungen ab, ohne diese Grenzwerte zu unterschreiten.

Welche Überlegungen zum Gate-Antrieb sollten für einen zuverlässigen Betrieb beachtet werden?

Gate-Ausbrüche müssen auf maximal 30 V begrenzt sein, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden

werden geeignete Gate-Widerstände und Antriebsstromkreise empfohlen, um die 51 nC-Ladung während des Schaltens zu bewältigen.

Ist dieses Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?

Es ist nicht als für die Automobilindustrie ausgelegt, daher sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es die spezifischen Qualifikationsanforderungen für die Automobilindustrie erfüllt.