Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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RS Best.-Nr.:
268-8316
Herst. Teile-Nr.:
SIHK185N60EF-T1GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SIHK

Gehäusegröße

PowerPAK 10 x 12

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.193Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Verlustleistung Pd

114W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

9.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 16 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK185N60EF-T1GE3


Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in Leiterplattenmontage-Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und entspricht den RoHS-Normen, wodurch er sich für industrielle elektronische Systeme eignet, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit und thermische Widerstandsfähigkeit erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 16 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastströme
• 114 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 0.193 Ω Rds(on) reduzieren Leitungsverluste unter Last
• 32 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltleistung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V für eine robuste Gate-Toleranz

Anwendungen


• Geeignet für Schaltnetzteile in Hochspannungsbauwerken
• Ideal für industrielle Motorantriebe und Wechselrichterstufen
• Wird mit Umrichtern für erneuerbare Energien verwendet, die mit erhöhten Spannungen umgehen
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise auf Leiterplatten verwendet werden
• Geeignet für den allgemeinen Austausch von Hochleistungstransistoren in Baugruppen

Welchen Temperaturbereich verträgt er in anspruchsvollen Umgebungen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich sowohl für die Lagerung bei niedrigen Temperaturen als auch für den Betrieb bei hohen Temperaturen.

Welche Montageart ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?


Das Gerät wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse geliefert, das für die Leiterplattenmontage vorgesehen ist, um Verbindungen mit niedriger Induktivität und kompakte Layouts zu ermöglichen.

Wie viele Stifte sind für Anschluss- und Erdungsschemata verfügbar?


Es verwendet eine 8-polige Konfiguration, die die Trennung von Gate-, Drain- und Quellanschlüssen für eine flexible Leiterplattenführung ermöglicht.

Ist er für Kfz-spezifische Normen geeignet?


Er ist nicht nach Kfz-Normen klassifiziert und sollte vor dem Einsatz anhand von Fahrzeugspezifischen Anforderungen bewertet werden.

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