Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8313
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.10.48
Auf Lager
- 1’996 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.5.24 | CHF.10.48 |
| 50 - 98 | CHF.4.715 | CHF.9.43 |
| 100 - 248 | CHF.3.864 | CHF.7.73 |
| 250 + | CHF.3.78 | CHF.7.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 268-8313
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.125Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 9.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHK | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.125Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 9.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay-Leistungs-MOSFET mit schneller Gehäusediode und Technologie der Serie E der 4. Generation reduziert Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Server-Netzteilen und Leistungsfaktorkorrektur-Netzteilen eingesetzt.
Niedrige effektive Kapazität
Lawinen-Nennstrom
Geringe Leistungsfähigkeit
Verwandte Links
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin SIHK125N60EF-T1GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 114 W, 8-Pin SIHK185N60EF-T1GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 142 W, 8-Pin SIHK105N60EF-T1GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin SIHK085N60EF-T1GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 47 A 278 W, 8-Pin SIHK045N60EF-T1GE3 PowerPAK
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin SIHK105N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Entleerung 650 V / 33 A 132 W, 8-Pin SIHK075N60EF-T1GE3 PowerPAK 10 x 12
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Entleerung 650 V / 40 A 132 W, 8-Pin SIHK055N60EF-T1GE3 PowerPAK 10 x 12