Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Best.-Nr.:: 268-8312
Herst. Teile-Nr.:: SIHK125N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich

Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.

RS Best.-Nr.:: 268-8312
Herst. Teile-Nr.:: SIHK125N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	21A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.125Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Maximale Verlustleistung Pd	132W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	45nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	9.9mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Montageart Leiterplattenmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.125Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Maximale Verlustleistung Pd 132W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 9.9mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

Ursprungsland:: CN

MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 21 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK125N60EF-T1GE3

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und Steuerung auf Leiterplatten entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste Spannungsbelastbarkeit und eine moderate Strombelastbarkeit in einem leiterplattenmontierten PowerPAK-Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 650 V Drain-Fähigkeit für Hochspannungsschaltung
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom für eine gleichmäßige Stromversorgung
• Niedrige Rds(on) von 0.125 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 132 W Verlustleistung für thermischen Kopfraum
• 45 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Source-Nennleistung für flexible Gate-Treiber-Ebenen

Anwendungen

• Geeignet für Schaltnetzteile in Industrieanlagen
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden
• Verwendung mit isolierten Gate-Treibern in Leistungswandlern
• Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen verwendet werden
• Geeignet für Wechselrichterschaltungen in erneuerbaren Energiesystemen

Welches Gehäuse wird für die Leiterplattenmontage und das Wärmemanagement bereitgestellt?

Die Komponente wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Leiterplattenmontage entwickelt wurde, um die Wärmeübertragung auf die Leiterplatte zu unterstützen und lötbasierte Wärmewege zu ermöglichen.

Welchen thermischen Extremen kann das Gerät im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit erheblichen Temperaturschwankungen.

Wie verhält sich das Gerät als gate-gesteuerter Schalter?

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Enhancement-Modus, der eine positive Gate-Source-Spannung bis zu seiner 30-V-Grenze zur Leitung benötigt, und seine typische Gate-Ladung von 45 nC informiert über Schaltenergieberechnungen.

Gibt es Umwelt- oder Regulierungsmerkmale?

Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe und entspricht den Umweltrichtlinien für elektronische Komponenten.