Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 142 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8308
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHK | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 24 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK105N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Halbleiterschalter, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltfunktionen in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Es funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem 8-poligen Gehäuse auf Leiterplatten montiert, was ein Gleichgewicht zwischen Schaltfähigkeit und Wärmeverarbeitung bietet, das für anspruchsvolle elektrische Steuerungsumgebungen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 24 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,105 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs • 51 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltleistung • Die Verlustleistung von 142 W hilft bei der Handhabung hoher Leistung auf der Leiterplatte • Die Gate-Toleranz von ±30 V ermöglicht eine breite Gate-Treiber-Marge
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen • Ideal für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Wird für die DC/DC-Umwandlung in Automatisierungssystemen verwendet • Kann für Schaltleistungsregler in Maschinen verwendet werden • Geeignet für die Leistungsschaltung in elektrischen Verteilereinheiten
Welche thermischen Extreme kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.
Wie viele Stifte und welche Montageart sind auf einer Platine erforderlich?
Es wird in einer 8-poligen Konfiguration geliefert, die für die Leiterplattenmontage in einer PowerPAK 10 x 12-Größe vorgesehen ist.
Welche Art von Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Das Gerät nimmt bis zu 30 V zwischen Gate und Quelle auf, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben sollten, um Schäden zu vermeiden.
Wie erfüllt das Gerät die Beschränkungen der Umweltmaterialien?
Er entspricht den RoHS-Anforderungen, was die Einhaltung von eingeschränkten gefährlichen Stoffen anzeigt.
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