Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0268
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (2 Stück, in einer Packung mit 2)*
CHF 9.60
- 2'050 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 4.798 | CHF 9.60 |
| 20 - 48 | CHF 4.505 | CHF 9.02 |
| 50 - 98 | CHF 4.07 | CHF 8.14 |
| 100 - 198 | CHF 3.838 | CHF 7.69 |
| 200 + | CHF 3.596 | CHF 7.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0268
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 19 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK185N60E-T1-GE3
Merkmale und Vorteile:
• 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0.16 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 114 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme in kompakten Layouts
• Eine typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergiebudgetlierung
• Die Gate-Toleranz von ±20 V bewahrt die Gate-Integrität bei Steuertransienten
Anwendungen
• Ideal für elektronische Steuermodule in der Automobilindustrie, die Komponenten in Automobilqualität erfordern
• Wird für die Front-End-Schaltung von Motorantrieben in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Schaltnetzteile in Offline-Wandlern verwendet werden
• Nützlich in Stromverwaltungsschaltkreisen, die anspruchsvolle Oberflächenmontage-Lösungen erfordern
Welchen thermischen Extremen kann er während des Einsatzes standhalten?
Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?
Erfüllt es die Qualifikationskriterien für die Automobilindustrie?
Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er?
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