Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0268
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.019 | CHF.10.05 |
| 20 - 48 | CHF.4.725 | CHF.9.44 |
| 50 - 98 | CHF.4.263 | CHF.8.53 |
| 100 - 198 | CHF.4.022 | CHF.8.04 |
| 200 + | CHF.3.77 | CHF.7.54 |
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- RS Best.-Nr.:
- 252-0268
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.05mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.05mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden.
E-Serien-Technologie der 4. Generation
Niedrige Ron-Qg-Leistungszahl (FOM)
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Avalanche-Energiebewertung (UIS)
Kelvin-Anschluss für reduziertes Gate-Rauschen
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