Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0267
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
CHF.3’382.00
Auf Lager
- 2’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | CHF.1.691 | CHF.3’387.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0267
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.05mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.05mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden.
E-Serien-Technologie der 4. Generation
Niedrige Ron-Qg-Leistungszahl (FOM)
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Avalanche-Energiebewertung (UIS)
Kelvin-Anschluss für reduziertes Gate-Rauschen
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 132 W, 8-Pin SIHK185N60E-T1-GE3 PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin SIHK125N60E-T1-GE3 PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin SIHK045N60E-T1-GE3 PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 132 W, 8-Pin SIHK105N60E-T1-GE3 PowerPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 236 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 236 W, 8-Pin SIHK055N60E-T1-GE3 PowerPAK 10 x 12
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Entleerung 650 V / 33 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12