Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 19 A 114 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 252-0267
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 19 A – SIHK185N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät für die Leistungsumwandlung und Steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen. Entwickelt für die Oberflächenmontage in kompakten Baugruppen, arbeitet er als N-Kanal-Transistor mit Depletion-Modus und eignet sich für Anwendungen, die eine hohe Temperaturbeständigkeit und eine robuste Spannungsbeständigkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • 19 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine erhebliche Lastverarbeitung • 0,16 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz • Typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie • Die Verlustleistung von 114 W verwaltet die thermische Last in kompakten Layouts • Die Gate-Toleranz von ±20 V vereinfacht das Gate-Drive-Design und den Schutz
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile in der industriellen Automatisierung • Ideal für Wechselrichterstufen in Motorsteuerungssystemen • Wird für die DC/DC-Umwandlung in robusten elektrischen Geräten verwendet • Kann für Schaltmodusfunktionen in Stromverteilungsmodulen verwendet werden
Welchem Betriebstemperaturbereich kann er standhalten?
Es funktioniert zwischen -55 °C und +150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.
Welcher Gehäusetyp ist für die Leiterplattenintegration vorgesehen?
Das Gerät wird in einem oberflächenmontierbaren PowerPAK 10 x 12-Gehäuse mit acht Stiften für die kompakte Montage geliefert.
Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen der Automobilentwicklung?
Er entspricht der AEC-Q101-Qualifikation und unterstützt Designs, die eine Robustheit von Komponenten in Automobilqualität erfordern.
Wie hoch sind die Abmessungen der physischen Grundfläche?
Die Komponente misst 6,15 mm in der Länge und 5,15 mm in der Breite für platzsparende Layouts.
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