Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8307
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK085N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.085Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 184W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 9.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHK | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 184W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 9.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK085N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine hohe Spannungs- und Wärmebeständigkeit erforderlich ist. Es handelt sich um ein auf der Leiterplatte montiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Mittelstrom-Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen optimiert ist. Die Komponente entspricht den RoHS-Richtlinien und ist für Ingenieure gedacht, die robuste diskrete Leistungstransistoren für industrielle und Leistungselektronik-Designs spezifizieren.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ablassspannung von 650 V sorgt für einen breiten Hochspannungs-Headroom
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,085 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Maximale Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltantriebsanforderungen
• Gate-Source-Grenzwert von ±30 V schützt den Gate-Drive-Marge bei Transienten
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 0,085 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Maximale Verlustleistung von 184 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltantriebsanforderungen
• Gate-Source-Grenzwert von ±30 V schützt den Gate-Drive-Marge bei Transienten
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Wird für Phasenbeinschalter in Motorantrieb-Wechselrichterstufen verwendet
• Ideal für Primärseitige Schalter in SMPS-Topologien
• Kann zum Schalten der Last in Batteriemanagementsystemen verwendet werden
• Wird mit diskreten Leistungsstufen verwendet, die eine kompakte Gehäusedichte erfordern
• Wird für Phasenbeinschalter in Motorantrieb-Wechselrichterstufen verwendet
• Ideal für Primärseitige Schalter in SMPS-Topologien
• Kann zum Schalten der Last in Batteriemanagementsystemen verwendet werden
• Wird mit diskreten Leistungsstufen verwendet, die eine kompakte Gehäusedichte erfordern
Welche extremen Temperaturen kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist spezifiziert für den Betrieb in einem breiten Bereich von -55 °C bis 150 °C und deckt Niedertemperaturanlässe und erhöhte Anschlussbedingungen ab.
Welche Gehäusetypen sollte ich für die Leiterplattenmontage und das Wärmemanagement erwarten?
Er wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse geliefert, das für die Leiterplattenmontage optimiert ist, um die Wärmeverteilung und Layouts mit niedriger Induktivität zu unterstützen.
Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus dem Gate-Ladewert?
Die typische Gate-Ladung von 63 nC erfordert einen Treiber, der ausreichend Strom liefern und ableiten kann, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig die Schaltverluste zu bewältigen.
Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf die Wahl des Schaltungsdesigns aus?
Da es sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät handelt, erfordert es eine geeignete Gate-Drive-Polarität und wird typischerweise auf der Low-Side- oder als High-Side-Schalter mit Pegelverschiebung verwendet.
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