Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 26 A 174 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

RS Best.-Nr.:: 239-8631
Herst. Teile-Nr.:: SiHH105N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 26 A 174 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 239-8631
Herst. Teile-Nr.:: SiHH105N60EF-T1GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	26A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8
	Serie	EF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.091Ω
	Channel-Modus	Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	33nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	174W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8
	Serie EF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.091Ω
	Channel-Modus Entleerung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 174W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - SiHH105N60EF-T1GE3

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 26 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiHH105N60EF-T1GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Automobil- und Industrieelektronik vorgesehen ist. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist als oberflächenmontierbare Komponente für kompakte Baugruppen konzipiert und bietet robuste Hochspannungsschaltvorgänge, bei denen thermische Beständigkeit und Kfz-Qualifizierung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassspannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme • Niedrige Rds(on) von 0,091 Ω reduziert Leitungsverluste in Schaltstufen • Die Verlustleistung von 174 W ermöglicht eine höhere Leistungsaufnahme in kompakten Layouts • 33 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Gate-Treiber-Energie • Gate-Toleranz ±30 V für unterschiedliche Gate-Drive-Spannungen

Anwendungen

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromwandler und Antriebssysteme • Ideal für Hochspannungs-Schaltnetzteile in der industriellen Automatisierung • Wird für Wechselrichterstufen in Motorantrieben verwendet • Kann für primärseitige Schaltvorgänge in SMPS-Topologien verwendet werden

Welchen thermischen Bereich kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.

Wie wirkt sich die Anzahl der Stifte und die Montage auf das Leiterplatten-Layout aus?

Das vierpolige oberflächenmontierbare PowerPAK 8x8-Gehäuse vereinfacht die thermische Verlegung und ermöglicht Verbindungen mit niedriger Induktivität für Hochgeschwindigkeitsschaltungen.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?

Der Gate-Antrieb sollte den maximalen Vgs von ±30 V einhalten und so konzipiert sein, dass er die Gate-Ladung von 33 nC verwaltet, um die Schaltgeschwindigkeit zu steuern und EMI zu minimieren.

Ist das Gerät für Qualifizierungsanforderungen im Automobilbereich geeignet?

Er entspricht der Norm AEC-Q101 und ist RoHS-konform, was typische Zulassungskriterien für Automobilkomponenten erfüllt.