Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 26 A 174 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 239-8632
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.091Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 174W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.091Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 174W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 26 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiHH105N60EF-T1GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in der Automobil- und Industrieelektronik vorgesehen ist. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist als oberflächenmontierbare Komponente für kompakte Baugruppen konzipiert und bietet robuste Hochspannungsschaltvorgänge, bei denen thermische Beständigkeit und Kfz-Qualifizierung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme • Niedrige Rds(on) von 0,091 Ω reduziert Leitungsverluste in Schaltstufen • Die Verlustleistung von 174 W ermöglicht eine höhere Leistungsaufnahme in kompakten Layouts • 33 nC-typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Gate-Treiber-Energie • Gate-Toleranz ±30 V für unterschiedliche Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromwandler und Antriebssysteme • Ideal für Hochspannungs-Schaltnetzteile in der industriellen Automatisierung • Wird für Wechselrichterstufen in Motorantrieben verwendet • Kann für primärseitige Schaltvorgänge in SMPS-Topologien verwendet werden
Welchen thermischen Bereich kann dieses Gerät während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Wie wirkt sich die Anzahl der Stifte und die Montage auf das Leiterplatten-Layout aus?
Das vierpolige oberflächenmontierbare PowerPAK 8x8-Gehäuse vereinfacht die thermische Verlegung und ermöglicht Verbindungen mit niedriger Induktivität für Hochgeschwindigkeitsschaltungen.
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine zuverlässige Schaltung erforderlich?
Der Gate-Antrieb sollte den maximalen Vgs von ±30 V einhalten und so konzipiert sein, dass er die Gate-Ladung von 33 nC verwaltet, um die Schaltgeschwindigkeit zu steuern und EMI zu minimieren.
Ist das Gerät für Qualifizierungsanforderungen im Automobilbereich geeignet?
Er entspricht der Norm AEC-Q101 und ist RoHS-konform, was typische Zulassungskriterien für Automobilkomponenten erfüllt.
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