Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 2.1 A 0.9 W, 4-Pin MICRO FOOT
- RS Best.-Nr.:
- 256-7399
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8824EDB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7399
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8824EDB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | MICRO FOOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.9W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.402mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße MICRO FOOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.9W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.402mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor besitzen einen typischen ESD-Schutz und ihre Anwendungen sind ultratragbare und tragbare Geräte, Lastschalter mit niedrigem Spannungsabfall, Stromleitungen mit kleinem Signal und Hochgeschwindigkeitsschaltung.
TrenchFET Power Mosfet
Extrem kleine Umrisse von 0,8 x 0,8 mm
Extrem dünn, 0,357 mm Höhe
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