Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.7 W, 6-Pin SI3421DV-T1-GE3 TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 180-7895
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3421DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.452 | CHF.9.09 |
| 200 - 480 | CHF.0.336 | CHF.6.83 |
| 500 - 980 | CHF.0.294 | CHF.5.92 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.273 | CHF.5.44 |
| 2000 + | CHF.0.21 | CHF.4.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-7895
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3421DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.7W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 2.98 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.7W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 2.98 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 19.2mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 4.2W and continuous drain current of 8A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switch
• DC/DC converter
• For mobile computing/consumer
• Load switches
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg tested
• UIS tested
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