Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 2.5 A 50 W

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
180-8306
Herst. Teile-Nr.:
IRF820ASPBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Länge

2.79mm

Breite

10.67 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay IRF820AS ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 500 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 30 V. Es verfügt über ein D2PAK- (TO-263) und I2PAK- (TO-262) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 3 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: 17 A.

Qg mit niedriger Gate-Ladung führt zu einfachen Treiberanforderungen

Verbesserte Widerstandsfähigkeit von Gate, Lawinen und dynamischen dV/dt

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom

Verwandte Links