Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 2.5 A 50 W

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RS Best.-Nr.:
180-8306
Herst. Teile-Nr.:
IRF820ASPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Breite

10.67 mm

Länge

2.79mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay IRF820AS ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 500 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 30 V. Es verfügt über ein D2PAK- (TO-263) und I2PAK- (TO-262) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 3 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: 17 A.

Qg mit niedriger Gate-Ladung führt zu einfachen Treiberanforderungen

Verbesserte Widerstandsfähigkeit von Gate, Lawinen und dynamischen dV/dt

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom

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