Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 50 V / 18 A 74 W JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
180-8311
Herst. Teile-Nr.:
IRF9Z30PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.14Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

14.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10.52mm

Höhe

6.48mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal TO-220AB-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 140 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 74 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Advanced Prozesstechnologie

• Schnelles Schalten

• Vollständig verfügbar

• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Umrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)

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