Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB IRFZ44RPBF

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RS Best.-Nr.:
180-8357
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ44RPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.028Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 28 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Advanced Prozesstechnologie

• Ersatz für IRFZ44, SiHFZ44 für Linear-/Audioanwendungen

• Dynamische dV/dt-Bewertung

• Schnelles Schalten

• Vollständig lawinengeprüft

• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Umrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)

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