Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-8743
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ44PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 6.48mm | |
| Breite | 10.52mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Länge | 14.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 6.48mm | ||
Breite 10.52mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Länge 14.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der MOSFET von Vishay ist ein N-Kanal-Gehäuse, TO-220AB-3 ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 28 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 5 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 150 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung und Funktionalität.
Merkmale und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Nennleistung
• Einfache Parallelschaltung
• Schnelles Umschalten
• Bleifreie (Pb)-Komponente
• Logik-Level-Gate-Laufwerk
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C
• RDS (on) spezifiziert bei VGS = 4 V und 5 V
• Einfache Antriebsanforderungen
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Frequenzumrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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