Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Schraubanschlussklemme MOSFET 100 V / -11 A 48 W TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 180-8327
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI9540GPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.142 | CHF.106.89 |
| 100 - 200 | CHF.1.859 | CHF.92.98 |
| 250 + | CHF.1.586 | CHF.79.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8327
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI9540GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.2Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.2Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 10.3 mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRFI9540G ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -100 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es hat TO-220 FULLPAK-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,2 Ohm bei 10 VGS.
Isoliertes Gehäuse
Hochspannungsisolierung = 2,5 kV eff (t = 60 s.; F = 60 Hz)
Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung = 4,8 mm
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