Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 250 V / 7.9 A 40 W TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 180-8325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI644GPBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.407 | CHF.70.61 |
| 100 - 200 | CHF.1.323 | CHF.66.36 |
| 250 - 450 | CHF.1.197 | CHF.60.01 |
| 500 - 1200 | CHF.1.134 | CHF.56.49 |
| 1250 + | CHF.1.061 | CHF.52.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI644GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.28Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 250 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 77 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 48 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Isoliertes Gehäuse
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedriger Wärmewiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung beträgt 4,8 mm
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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