Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 6.6 A 60 W, 3-Pin IRFIB7N50APBF TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 541-1966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIB7N50APBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.64 |
| 10 - 49 | CHF.3.16 |
| 50 - 99 | CHF.3.02 |
| 100 - 249 | CHF.2.84 |
| 250 + | CHF.2.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 541-1966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIB7N50APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRFI | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.52Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Länge | 10.63mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRFI | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.52Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.8mm | ||
Länge 10.63mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Breite 4.83 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
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