Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 5.3 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 787-9159
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF5N50D-E3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.89 | CHF.9.45 |
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- RS Best.-Nr.:
- 787-9159
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF5N50D-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Länge | 10.63mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Länge 10.63mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET D, Serie Hohe Spannung, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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