Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.972.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 5’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +CHF.0.389CHF.960.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
180-7298
Herst. Teile-Nr.:
SI4900DY-T1-E3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.058Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Länge

4.8mm

Höhe

1.35mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Zweikanal-MOSFET der Vishay Siliconix SI4900DY-Serie TrenchFET mit N-Kanal hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Er wird in LCD-TV- und CCFL-Wechselrichtern verwendet.

Bleifrei

Halogenfrei

Verwandte Links