Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
180-7294
Herst. Teile-Nr.:
SI4559ADY-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.58Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.4W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Höhe

1.75mm

Breite

4 mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a drain-source voltage of 60V. It has continuous drain currents of 5.3A and 3.9A. It has a maximum power rating of 3.4W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality. It is applicable in CCFL inverters.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested

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