Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SI4900DY-T1-E3 SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 180-8002
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4900DY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8002
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4900DY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.058Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 4.8mm | |
| Höhe | 1.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.058Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Länge 4.8mm | ||
Höhe 1.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Zweikanal-MOSFET der Vishay Siliconix SI4900DY-Serie TrenchFET mit N-Kanal hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 60 V. Er wird in LCD-TV- und CCFL-Wechselrichtern verwendet.
Bleifrei
Halogenfrei
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