Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 710-3345
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.465
Wird eingestellt
- 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Die letzten 3'345 Einheit(en) mit Versand ab 20. Mai 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.293 | CHF.11.45 |
| 50 - 120 | CHF.1.939 | CHF.9.72 |
| 125 - 245 | CHF.1.838 | CHF.9.17 |
| 250 - 495 | CHF.1.717 | CHF.8.61 |
| 500 + | CHF.1.606 | CHF.8.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 710-3345
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4559ADY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 72mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.4W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 72mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.4W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2.78 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.1 A 2.4 W, 8-Pin SOIC