Vishay IRFI Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 4.1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 708-4780
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI9634GPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.815
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1’000 Einheit(en) mit Versand ab 03. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.363 | CHF.11.81 |
| 50 - 120 | CHF.2.006 | CHF.10.04 |
| 125 - 245 | CHF.1.89 | CHF.9.44 |
| 250 - 495 | CHF.1.775 | CHF.8.86 |
| 500 + | CHF.1.649 | CHF.8.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4780
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI9634GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | IRFI | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -250V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.3mm | |
| Breite | 4.8 mm | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie IRFI | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -250V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.3mm | ||
Breite 4.8 mm | ||
Höhe 9.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFI Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 4.1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 4.6 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 5.5 A 60 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.1 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 6.6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 7.2 A 37 W, 3-Pin TO-220FP
- onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4.1 A 2.1 W, 8-Pin ChipFET
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 3.1 A 35 W TO-220FP