Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 250 V / 7.9 A 40 W TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 180-8661
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-30-844
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI644GPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.875
Auf Lager
- 305 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.775 | CHF.8.89 |
| 25 - 45 | CHF.1.596 | CHF.8.00 |
| 50 - 120 | CHF.1.512 | CHF.7.56 |
| 125 - 245 | CHF.1.418 | CHF.7.11 |
| 250 + | CHF.1.334 | CHF.6.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8661
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-30-844
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI644GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.28Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.28Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-220-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 250 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 77 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 48 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Isoliertes Gehäuse
• bleifreie Komponente (Pb)
• Niedriger Wärmewiderstand
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Die Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung beträgt 4,8 mm
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
Verwandte Links
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 250 V / 7.9 A 40 W TO-220FP IRFI644GPBF
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 3.1 A 35 W TO-220FP
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 3.1 A 35 W TO-220FP IRFI830GPBF
- Vishay IRFI Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 4.1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 4.1 A 35 W, 3-Pin IRFI9634GPBF TO-220FP
- Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 1.4 A 30 W TO-220FP
- Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 1.4 A 30 W TO-220FP IRFIBE20GPBF
- Vishay IRFI Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 4.6 A 40 W, 3-Pin TO-220FP