Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 3.3 A 83 W
- RS Best.-Nr.:
- 180-8343
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR420APBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF.0.935 | CHF.69.85 |
| 150 - 300 | CHF.0.882 | CHF.66.38 |
| 375 + | CHF.0.84 | CHF.62.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8343
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR420APBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 3 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 83 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Effektive Cos spezifiziert
• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt
• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Hochgeschwindigkeitsschalten
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
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