Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.1 A, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8346
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9110TRPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 180-8346
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9110TRPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.22mm | |
| Breite | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC JS709A | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.22mm | ||
Breite 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC JS709A | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRFR9110 ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -100 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über das DPAK- (TO-252) und das IPAK- (TO-251) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 1,2 Ohm bei 10 VGS.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Oberflächenmontage
Verwandte Links
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.1 A, 3-Pin
- Vishay Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin IPAK
- Vishay Einfach Typ P-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche MOSFET 100 V, 3-Pin
- Vishay Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay IRFL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 690 mA 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 3.1 A 35 W TO-220FP
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 1 A, 4-Pin HVMDIP
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 2.2 A 3.1 W, 3-Pin